（圖片來源：攝圖網(wǎng)）

據(jù)路透社報(bào)道，廣穎電通(Silicon Power)將在印度奧里薩邦投資1.217億美元，建設(shè)一家碳化硅工廠。并計(jì)劃生產(chǎn)150mm(6英寸)碳化硅晶圓。這項(xiàng)投資將由廣穎電通的印度子公司RiR Power Electronics負(fù)責(zé)，他們承諾新工廠將在未來18-24個(gè)月內(nèi)開始運(yùn)營，最晚不會(huì)超過2025年。

(資料圖)

外媒指出，廣穎電通此次對(duì)印度的投資是該國政府吸引外資的努力的一部分。目前，富士康、美光和AMD等公司的高管也正在印度參加會(huì)議。

碳化硅，又稱碳硅石或金剛砂，是第三代半導(dǎo)體材料的代表之一，主要用于電力電子器件的制造。隨著新能源汽車和工業(yè)電源等應(yīng)用的推動(dòng)，全球電力電子碳化硅市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng)。

——碳化硅行業(yè)全球發(fā)展現(xiàn)狀

目前，碳化硅已成為半導(dǎo)體技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。美國、日本、歐洲等國家都在積極制定戰(zhàn)略布局。目前，第三代半導(dǎo)體材料和器件已成功實(shí)現(xiàn)從研發(fā)到規(guī)模化生產(chǎn)的跨越，并進(jìn)入了產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段。在新能源汽車、高速軌道交通、5G通信、光伏并網(wǎng)、消費(fèi)類電子等多個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域取得了應(yīng)用突破。自2020年以來，發(fā)達(dá)國家已將半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)提升到國家安全戰(zhàn)略層面，考慮通過國家級(jí)力量在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展、原材料和生產(chǎn)制造等多個(gè)方面進(jìn)行全方位的部署。

近年來，全球各企業(yè)加速布局碳化硅行業(yè)，推出了多款產(chǎn)品，隨著技術(shù)的成熟和下游需求的增長(zhǎng)。以碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）為例，據(jù)統(tǒng)計(jì)，2021年國際上有10余家公司推出了超過200款SiC MOSFET系列產(chǎn)品，其中擊穿電壓主要集中在650V和1200V。

在射頻器件領(lǐng)域，根據(jù)CASA的數(shù)據(jù)，目前市場(chǎng)上有超過500款可購買的氮化鎵（GaN）射頻器件和功率放大器。GaN射頻器件的最高工作頻率為18GHz（Wolfspeed），輸出功率最高可達(dá)1862W（Qorvo，1.0-1.1GHz）。其中，碳化硅基氮化鎵器件是射頻市場(chǎng)的主流產(chǎn)品和技術(shù)解決方案。

根據(jù)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的數(shù)據(jù)，截至2020年底，全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模為7.03億美元，而GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模為8.3億美元。根據(jù)Yole的報(bào)告，目前約有90%的GaN射頻器件采用碳化硅襯底制備。而在2021年，全球碳化硅器件市場(chǎng)規(guī)模已經(jīng)超過了20億美元。

華金證券認(rèn)為，第三代半導(dǎo)體功率器件憑借其高頻高效、耐高壓、耐高溫等優(yōu)異特性，有望提升整車能源利用率并推動(dòng)車企的新能源汽車產(chǎn)品升級(jí)。隨著碳化硅器件工藝的不斷升級(jí)，成本進(jìn)一步降低，預(yù)計(jì)其市場(chǎng)滲透率將提高，從而進(jìn)一步拓寬第三代半導(dǎo)體功率器件的市場(chǎng)空間。

隨著全球經(jīng)濟(jì)的發(fā)展和技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅行業(yè)有望繼續(xù)保持穩(wěn)定增長(zhǎng)。同時(shí)，碳化硅材料的研發(fā)和應(yīng)用也在不斷創(chuàng)新，涌現(xiàn)出更多的新產(chǎn)品和新應(yīng)用領(lǐng)域。全球碳化硅行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)也日益激烈，各國企業(yè)在技術(shù)、質(zhì)量和服務(wù)等方面進(jìn)行不斷改進(jìn)，以滿足市場(chǎng)需求。

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